Typical Characteristics
(Continued)
10
0
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
0 .0 5
※ N o te s :
1 . Z θ J C ( t ) = 0 . 7 9 ℃ / W M a x .
2 . D u ty F a c t o r , D = t 1 / t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
10
-2
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11-1. Transient Thermal Response Curve for FQP6N80C
10
0
D = 0 .5
0 .2
※ N o te s :
10
-1
0 .1
0 .0 5
1 . Z θ J C ( t ) = 2 . 4 5 ℃ / W M a x .
2 . D u ty F a c to r , D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C ( t )
0 .0 2
0 .0 1
P DM
10
-2
s in g le p u ls e
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a r e W a v e P u ls e D u r a t io n [ s e c ]
Figure 11-2. Transient Thermal Response Curve for FQPF6N80C
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FQP6N80C / FQPF6N80C Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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FQPF6N90CT 功能描述:MOSFET 900V N-Chan Advance Q-FET C-Series RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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